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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2004

01.05.2004 | Atomic Structure and Nonelectronic Properties of Semiconductors

Dependence of dicarbon annealing temperature in n-Si on oxygen concentration in the crystal

verfasst von: N. I. Boyarkina, S. A. Smagulova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2004

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Metadaten
Titel
Dependence of dicarbon annealing temperature in n-Si on oxygen concentration in the crystal
verfasst von
N. I. Boyarkina
S. A. Smagulova
Publikationsdatum
01.05.2004
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2004
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1755876

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