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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2017

04.01.2017

Deposition of highly c-axis-oriented ScAlN thin films at different sputtering power

verfasst von: Jialin Tang, Dongwei Niu, Zhiwei Tai, Xianwei Hu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2017

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Abstract

Highly c-axis-oriented (002) of ScxAl1−xN thin films with high Sc concentration (x) have drawn a significant attention in the bulk acoustic wave (BAW) and surface acoustic wave (SAW) resonators because of their excellent piezoelectric performance. This paper presents the preparation and characterization of 15% scandium doped aluminum nitride (ScAlN) and pure AlN films on the silicon substrate with variable of sputtering power from 100 to 160 W. The crystalline degree, surface morphology and piezoelectric response prepared by RF magnetron sputtering are investigated by corresponding technologies. It shows that the best growth of characteristic peaks (002) and surface morphology for Sc0.15Al0.85N films are deposited at 135 W. Meanwhile, the piezoelectric response of Sc0.15Al0.85N is generally enhanced for two times larger than that of pure AlN films.
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Metadaten
Titel
Deposition of highly c-axis-oriented ScAlN thin films at different sputtering power
verfasst von
Jialin Tang
Dongwei Niu
Zhiwei Tai
Xianwei Hu
Publikationsdatum
04.01.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-6213-7

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