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2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

6. Diffusion in Semiconductors

verfasst von : Derek Shaw

Erschienen in: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

Atomic diffusion in semiconductors refers to the migration of atoms, including host, dopant and impurities. Diffusion occurs in all thermodynamic phases, but the solid phase is the most important in semiconductors. There are two types of semiconductor solid phase: amorphous (including organic) and crystalline. In this chapter we consider crystalline semiconductors and describe the processes by which atoms and defects move between lattice sites. The emphasis is on describing the various conditions under which diffusion can occur, as well as the atomic mechanisms that are involved, rather than on tabulating data. For brevity’s sake, we also focus on the general features found in the principal semiconductors from Groups IV, III–V and II–VI; IV–VI and oxide semiconductors are excluded from consideration. It is not surprising that most of the data available in this field relate to the semiconductors that are technologically important – they are used to fabricate electronic and optoelectronic devices. One unavoidable consequence of this technological need is that diffusion data tend to be acquired in a piecemeal fashion.

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Literatur
6.1
Zurück zum Zitat M. Knez: Semicond. Sci. Technol. 27, 074001 (2012) M. Knez: Semicond. Sci. Technol. 27, 074001 (2012)
6.2
Zurück zum Zitat P. Alen, M. Vehkamaki, M. Ritali, M. Leskela: J. Electrochem. Soc. 153, G304 (2006) P. Alen, M. Vehkamaki, M. Ritali, M. Leskela: J. Electrochem. Soc. 153, G304 (2006)
6.3
Zurück zum Zitat J. Hong, S. Lee, S. Lee, H. Han, C. Mahata, H.-W. Yeon, B. Koo, S.-I. Kim, T. Nam, K. Byun, B.-W. Min, Y.-W. Kim, H. Kim, Y.-C. Joo, T. Lee: Nanoscale 6, 7503 (2014) J. Hong, S. Lee, S. Lee, H. Han, C. Mahata, H.-W. Yeon, B. Koo, S.-I. Kim, T. Nam, K. Byun, B.-W. Min, Y.-W. Kim, H. Kim, Y.-C. Joo, T. Lee: Nanoscale 6, 7503 (2014)
6.4
Zurück zum Zitat J. Crank: The Mathematics of Diffusion, 2nd edn. (Clarendon Press, Oxford 1979) J. Crank: The Mathematics of Diffusion, 2nd edn. (Clarendon Press, Oxford 1979)
6.5
Zurück zum Zitat M.E. Glicksman: Diffusion in Solids (Wiley, New York 2000) M.E. Glicksman: Diffusion in Solids (Wiley, New York 2000)
6.6
Zurück zum Zitat A. Ural, P.B. Griffin, J.D. Plummer: J. Appl. Phys. 85, 6440 (1999) A. Ural, P.B. Griffin, J.D. Plummer: J. Appl. Phys. 85, 6440 (1999)
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Zurück zum Zitat I.B. Belova, D. Shaw, G.E. Murch: J. Appl. Phys. 106, 113707 (2009) I.B. Belova, D. Shaw, G.E. Murch: J. Appl. Phys. 106, 113707 (2009)
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Zurück zum Zitat W. Frank, U. Gösele, H. Mehrer, A. Seeger: Diffusion in silicon and germanium. In: Diffusion in Crystalline Solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick (Academic, Orlando 1984) p. 63 W. Frank, U. Gösele, H. Mehrer, A. Seeger: Diffusion in silicon and germanium. In: Diffusion in Crystalline Solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick (Academic, Orlando 1984) p. 63
6.9
Zurück zum Zitat D. Mathiot, J.C. Pfister: J. Appl. Phys. 66, 970 (1989) D. Mathiot, J.C. Pfister: J. Appl. Phys. 66, 970 (1989)
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Zurück zum Zitat D. Shaw: General features of diffusion in semiconductors. In: Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. by D. Shaw (Plenum, London 1973) p. 1 D. Shaw: General features of diffusion in semiconductors. In: Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. by D. Shaw (Plenum, London 1973) p. 1
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Zurück zum Zitat D. Shaw: Self- and impurity diffusion processes in widegap II–VI materials. In: Widegap II-VI Compounds for Opto-electronic Applications, ed. by H.E. Ruda (Chapman and Hall, London 1992) p. 244 D. Shaw: Self- and impurity diffusion processes in widegap II–VI materials. In: Widegap II-VI Compounds for Opto-electronic Applications, ed. by H.E. Ruda (Chapman and Hall, London 1992) p. 244
6.12
Zurück zum Zitat D. Shaw, P. Capper: J. Mater. Sci. Mater. El 11, 169 (2000) D. Shaw, P. Capper: J. Mater. Sci. Mater. El 11, 169 (2000)
6.13
Zurück zum Zitat T.Y. Tan, U. Gösele, S. Yu: Crit. Rev. Sol. St. Mater. Sci. 17, 47 (1991) T.Y. Tan, U. Gösele, S. Yu: Crit. Rev. Sol. St. Mater. Sci. 17, 47 (1991)
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Zurück zum Zitat R.B. Fair: Concentration profiles of diffused dopants in silicon. In: Impurity Doping Processes in Silicon, ed. by F.F. Wang (North-Holland, Amsterdam 1981) p. 349 R.B. Fair: Concentration profiles of diffused dopants in silicon. In: Impurity Doping Processes in Silicon, ed. by F.F. Wang (North-Holland, Amsterdam 1981) p. 349
6.15
Zurück zum Zitat S.M. Hu: J. Appl. Phys. 70, R53 (1991) S.M. Hu: J. Appl. Phys. 70, R53 (1991)
6.16
Zurück zum Zitat G.B. Abdullaev, T.D. Dzhafarov: Atomic Diffusion in Semiconductor Structures (Harwood, Chur 1987) G.B. Abdullaev, T.D. Dzhafarov: Atomic Diffusion in Semiconductor Structures (Harwood, Chur 1987)
6.17
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6.18
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6.19
Zurück zum Zitat H. Takeuchi, P. Ranada, V. Subramanian, T.-J. King: Appl. Phys. Lett. 80, 3706 (2002) H. Takeuchi, P. Ranada, V. Subramanian, T.-J. King: Appl. Phys. Lett. 80, 3706 (2002)
6.20
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6.21
Zurück zum Zitat L. Shao, J. Chen, J. Zhang, D. Tang, S. Patel, J. Liu, X. Wang, W.-K. Chu: J. Appl. Phys. 96, 919 (2004) L. Shao, J. Chen, J. Zhang, D. Tang, S. Patel, J. Liu, X. Wang, W.-K. Chu: J. Appl. Phys. 96, 919 (2004)
6.22
Zurück zum Zitat Y.M. Haddara, J.C. Bravman: Ann. Rev. Mater. Sci. 28, 185 (1998) Y.M. Haddara, J.C. Bravman: Ann. Rev. Mater. Sci. 28, 185 (1998)
6.23
Zurück zum Zitat I. Lyubomirsky, V. Lyahovitskaya, D. Cahen: Appl. Phys. Lett. 70, 613 (1997) I. Lyubomirsky, V. Lyahovitskaya, D. Cahen: Appl. Phys. Lett. 70, 613 (1997)
6.24
Zurück zum Zitat C.H. Chen, U. Gösele, T.Y. Tan: Appl. Phys. A 68, 9, 19, 313 (1999) C.H. Chen, U. Gösele, T.Y. Tan: Appl. Phys. A 68, 9, 19, 313 (1999)
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Zurück zum Zitat P.N. Grillot, S.A. Stockman, J.W. Huang, H. Bracht, Y.L. Chang: J. Appl. Phys. 91, 4891 (2002) P.N. Grillot, S.A. Stockman, J.W. Huang, H. Bracht, Y.L. Chang: J. Appl. Phys. 91, 4891 (2002)
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Zurück zum Zitat E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T. Diaz de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Holland, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tasch: J. Appl. Phys. 81, 6513 (1997) E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T. Diaz de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Holland, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tasch: J. Appl. Phys. 81, 6513 (1997)
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Zurück zum Zitat J.L. Melendez, J. Tregilgas, J. Dodge, C.R. Helms: J. Electron Mater. 24, 1219 (1995) J.L. Melendez, J. Tregilgas, J. Dodge, C.R. Helms: J. Electron Mater. 24, 1219 (1995)
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Zurück zum Zitat F.S. Ham: J. Phys. Chem. Solids 6, 335 (1958) F.S. Ham: J. Phys. Chem. Solids 6, 335 (1958)
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Zurück zum Zitat F.S. Ham: J. Appl. Phys. 30, 915 (1959) F.S. Ham: J. Appl. Phys. 30, 915 (1959)
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Zurück zum Zitat F.S. Ham: J. Appl. Phys. 30, 1518 (1959) F.S. Ham: J. Appl. Phys. 30, 1518 (1959)
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Zurück zum Zitat S.C. Jain, A.E. Hughes: Proc. R. Soc. Lond. A. 360, 47 (1978) S.C. Jain, A.E. Hughes: Proc. R. Soc. Lond. A. 360, 47 (1978)
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Zurück zum Zitat D. Peak, J.W. Corbett: Radiation Effects 36, 197 (1978) D. Peak, J.W. Corbett: Radiation Effects 36, 197 (1978)
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Zurück zum Zitat D. Shaw: Phys. Stat. Sol. A 60, 251 (1980) D. Shaw: Phys. Stat. Sol. A 60, 251 (1980)
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Zurück zum Zitat A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella: J. Appl. Phys. 77, 4169 (1995) A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella: J. Appl. Phys. 77, 4169 (1995)
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Zurück zum Zitat K.F. Kelton, R. Falster, D. Gambaro, M. Olmo, M. Cornaro, P.F. Wei: J. Appl. Phys. 85, 8097 (1999) K.F. Kelton, R. Falster, D. Gambaro, M. Olmo, M. Cornaro, P.F. Wei: J. Appl. Phys. 85, 8097 (1999)
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Zurück zum Zitat S. Solmi, E. Landi, F. Baruffaldi: J. Appl. Phys. 68, 3250 (1990) S. Solmi, E. Landi, F. Baruffaldi: J. Appl. Phys. 68, 3250 (1990)
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Zurück zum Zitat S. Solmi, D. Nobili: J. Appl. Phys. 83, 2484 (1998) S. Solmi, D. Nobili: J. Appl. Phys. 83, 2484 (1998)
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Zurück zum Zitat A.D.N. Paine, A.F.W. Willoughby, M. Morooka, J.M. Bonar, P. Phillips, M.G. Dowsett, G. Cooke: Defect Diffus. Forum 143-147, 1131 (1997) A.D.N. Paine, A.F.W. Willoughby, M. Morooka, J.M. Bonar, P. Phillips, M.G. Dowsett, G. Cooke: Defect Diffus. Forum 143-147, 1131 (1997)
6.79
Zurück zum Zitat J.S. Christensen, H.H. Radamson, A.Yu. Kuznetsov, B.G. Svensson: J. Appl. Phys. 94, 6533 (2003) J.S. Christensen, H.H. Radamson, A.Yu. Kuznetsov, B.G. Svensson: J. Appl. Phys. 94, 6533 (2003)
6.80
Zurück zum Zitat P. Laitinen, I. Rihimki, J. Räisänen: Phys. Rev. B 68 155209 (2003) P. Laitinen, I. Rihimki, J. Räisänen: Phys. Rev. B 68 155209 (2003)
6.81
Zurück zum Zitat A. Strohm, T. Voss, W. Frank, P. Laitinen, J. Räisänen: Z. Metallkunde 93, 737 (2002) A. Strohm, T. Voss, W. Frank, P. Laitinen, J. Räisänen: Z. Metallkunde 93, 737 (2002)
6.82
Zurück zum Zitat Y. Dong, W. Chern, P.M. Mooney, J.L. Hoyt, G. Xia: Semicond. Sci. Technol. 29, 015012 (2014) Y. Dong, W. Chern, P.M. Mooney, J.L. Hoyt, G. Xia: Semicond. Sci. Technol. 29, 015012 (2014)
6.83
Zurück zum Zitat J.M. Lento, L. Torpo, T.E.M. Staab, R.M. Nieminen: J. Phys. Condens. Matter 16, 1053 (2004) J.M. Lento, L. Torpo, T.E.M. Staab, R.M. Nieminen: J. Phys. Condens. Matter 16, 1053 (2004)
6.84
Zurück zum Zitat M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov: Phys. Rev. B 68, 205201 (2003) M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov: Phys. Rev. B 68, 205201 (2003)
6.85
Zurück zum Zitat J.D. Hong, R.F. Davis, D.E. Newbury: J. Mater. Sci. 16, 2485 (1981) J.D. Hong, R.F. Davis, D.E. Newbury: J. Mater. Sci. 16, 2485 (1981)
6.86
Zurück zum Zitat Y.A. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, V.G. Oding: Sov. Phys. Solid State 19, 1647 (1977) Y.A. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, V.G. Oding: Sov. Phys. Solid State 19, 1647 (1977)
6.87
Zurück zum Zitat Y.A. Vodakov, E.N. Mokhov: Diffusion and solubility of impurities. In: Silicon Carbide – 1973, ed. by R.C. Marshall, J.W. Faust Jr., C.E. Ryan (Univ. South Carolina Press, Columbia 1973) p. 508 Y.A. Vodakov, E.N. Mokhov: Diffusion and solubility of impurities. In: Silicon Carbide – 1973, ed. by R.C. Marshall, J.W. Faust Jr., C.E. Ryan (Univ. South Carolina Press, Columbia 1973) p. 508
6.88
Zurück zum Zitat I.O. Usov, A.A. Suvorova, Y.A. Kudriatsev, A.V. Suvorova: J. Appl. Phys. 96, 4960 (2004) I.O. Usov, A.A. Suvorova, Y.A. Kudriatsev, A.V. Suvorova: J. Appl. Phys. 96, 4960 (2004)
6.89
Zurück zum Zitat N. Bagraev, A. Bouravleuv, A. Gippius, L. Klyachkin, A. Malyarenko: Defect Diffus. Forum 194–199, 679 (2001) N. Bagraev, A. Bouravleuv, A. Gippius, L. Klyachkin, A. Malyarenko: Defect Diffus. Forum 194–199, 679 (2001)
6.90
Zurück zum Zitat S. Bai, R.P. Devaty, W.J. Choyke, U. Kaiser, G. Wagner, M.F. MacMillan: Appl. Phys. Lett. 83, 3171 (2003) S. Bai, R.P. Devaty, W.J. Choyke, U. Kaiser, G. Wagner, M.F. MacMillan: Appl. Phys. Lett. 83, 3171 (2003)
6.91
Zurück zum Zitat D. Shaw: Semicond. Sci. Technol. 18, 627 (2003) D. Shaw: Semicond. Sci. Technol. 18, 627 (2003)
6.92
Zurück zum Zitat L. Wang, J.A. Wolk, L. Hsu, E.E. Haller, J.W. Erickson, M. Cardona, T. Ruf, J.P. Silveira, F. Brione: Appl. Phys. Lett. 70, 1831 (1997) L. Wang, J.A. Wolk, L. Hsu, E.E. Haller, J.W. Erickson, M. Cardona, T. Ruf, J.P. Silveira, F. Brione: Appl. Phys. Lett. 70, 1831 (1997)
6.93
Zurück zum Zitat O. Ambacher, F. Freudenberg, R. Dimitrov, H. Angerer, M. Stutzmann: Jpn. J. Appl. Phys. 37, 2416 (1998) O. Ambacher, F. Freudenberg, R. Dimitrov, H. Angerer, M. Stutzmann: Jpn. J. Appl. Phys. 37, 2416 (1998)
6.94
Zurück zum Zitat S. Limpijumnong, C.G. Van de Walle: Phys. Rev. B 69, 035207 (2004) S. Limpijumnong, C.G. Van de Walle: Phys. Rev. B 69, 035207 (2004)
6.95
Zurück zum Zitat M.G. Ganchenkova, R.M. Nieminen: Phys. Rev. Lett. 96, 196402 (2006) M.G. Ganchenkova, R.M. Nieminen: Phys. Rev. Lett. 96, 196402 (2006)
6.96
Zurück zum Zitat U. Gerstmann, A.P. Seitsonen, F. Mauri: Phys. Stat. Sol. B 245, 924 (2008) U. Gerstmann, A.P. Seitsonen, F. Mauri: Phys. Stat. Sol. B 245, 924 (2008)
6.97
Zurück zum Zitat J.C. Hu, M.D. Deal, J.D. Plummer: J. Appl. Phys. 78, 1595 (1995) J.C. Hu, M.D. Deal, J.D. Plummer: J. Appl. Phys. 78, 1595 (1995)
6.98
Zurück zum Zitat J. Pöpping, N.A. Stolwijk, G. Bösker, C. Jäger, W. Jäger, U. Södervall: Defect Diffus. Forum 194–199, 723 (2001) J. Pöpping, N.A. Stolwijk, G. Bösker, C. Jäger, W. Jäger, U. Södervall: Defect Diffus. Forum 194–199, 723 (2001)
6.99
Zurück zum Zitat O. Koskelo, J. Risnen, F. Tuomisto, J. Sadovski: Semicond. Sci. Technol. 24, 045011 (2009) O. Koskelo, J. Risnen, F. Tuomisto, J. Sadovski: Semicond. Sci. Technol. 24, 045011 (2009)
6.100
Zurück zum Zitat M. Bosi, G. Attolini, C. Ferrari, C. Frigeri, M. Calicchio, F. Rossi, K. Vad, A. Csik, Z. Zolnai: J. Crystal Growth 318, 367 (2011) M. Bosi, G. Attolini, C. Ferrari, C. Frigeri, M. Calicchio, F. Rossi, K. Vad, A. Csik, Z. Zolnai: J. Crystal Growth 318, 367 (2011)
6.101
Zurück zum Zitat A. Bchetnia, C. Saidia, M. Souissi, T. Boufaden, B. El Jani: Semocond. Sci. Technol. 24, 095020 (2009) A. Bchetnia, C. Saidia, M. Souissi, T. Boufaden, B. El Jani: Semocond. Sci. Technol. 24, 095020 (2009)
6.102
Zurück zum Zitat A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, S.J. Pearton, F. Ren, B. Theys, F. Jomard, Z. Teukam, V.A. Dmitriev, A.E. Nikolaev, A.S. Usikov, I.P. Nikitina: Appl. Phys. Lett. 79, 1834 (2001) A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, S.J. Pearton, F. Ren, B. Theys, F. Jomard, Z. Teukam, V.A. Dmitriev, A.E. Nikolaev, A.S. Usikov, I.P. Nikitina: Appl. Phys. Lett. 79, 1834 (2001)
6.103
Zurück zum Zitat I. Harrison: J. Mater. Sci. Mater. Electron. 4, 1 (1993) I. Harrison: J. Mater. Sci. Mater. Electron. 4, 1 (1993)
6.104
Zurück zum Zitat S. Govindaaraju, J.M. Reifsnider, M.M. Oye, A.L. Holmes: J. Electron. Mater. 32, 29 (2003) S. Govindaaraju, J.M. Reifsnider, M.M. Oye, A.L. Holmes: J. Electron. Mater. 32, 29 (2003)
6.105
Zurück zum Zitat D. Shaw: J. Crystal Growth 86, 778 (1988) D. Shaw: J. Crystal Growth 86, 778 (1988)
6.106
Zurück zum Zitat D. Shaw: J. Electron. Mater. 24, 587 (1995) D. Shaw: J. Electron. Mater. 24, 587 (1995)
6.107
Zurück zum Zitat D. Shaw: Diffusion in MCT. In: Mercury Cadmium Telluride, ed. by P. Capper, J. Garland (Wiley, Chichester 2011) D. Shaw: Diffusion in MCT. In: Mercury Cadmium Telluride, ed. by P. Capper, J. Garland (Wiley, Chichester 2011)
6.108
Zurück zum Zitat P. Capper, C.D. Maxey, C.L. Jones, J.E. Gower, E.S. O’Keefe, D. Shaw: J. Electron. Mater. 28, 637 (1999) P. Capper, C.D. Maxey, C.L. Jones, J.E. Gower, E.S. O’Keefe, D. Shaw: J. Electron. Mater. 28, 637 (1999)
6.109
Zurück zum Zitat M.D. McCluskey, S.J. Jokela: J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009) M.D. McCluskey, S.J. Jokela: J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009)
6.110
Zurück zum Zitat D.J. Fisher (Ed.): Diffusion and Defects in ZnO, (Trans. Tech. Publications, Pfäffikon 2013) D.J. Fisher (Ed.): Diffusion and Defects in ZnO, (Trans. Tech. Publications, Pfäffikon 2013)
6.111
Zurück zum Zitat D. Shaw: Semicond. Sci. Technol. 27, 035003 (2012) D. Shaw: Semicond. Sci. Technol. 27, 035003 (2012)
6.112
Zurück zum Zitat D. Shaw: Semicond. Sci. Technol. 15, 911 (2000) D. Shaw: Semicond. Sci. Technol. 15, 911 (2000)
6.113
Zurück zum Zitat M. Kuttler, M. Grundmann, R. Heitz, U.W. Pohl, D. Bimberg, H. Stanzel, B. Hahn, W. Gebbhart: J. Crystal Growth 159, 514 (1996) M. Kuttler, M. Grundmann, R. Heitz, U.W. Pohl, D. Bimberg, H. Stanzel, B. Hahn, W. Gebbhart: J. Crystal Growth 159, 514 (1996)
6.114
Zurück zum Zitat A. Barcz, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut: J. Crystal Growth 159, 980 (1996) A. Barcz, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut: J. Crystal Growth 159, 980 (1996)
6.115
Zurück zum Zitat Z. Balogh, Z. Erdélyi, D.L. Beke, G.A. Langer, A. Csik, H.-G. Boyen, U. Wiedwald, P. Ziemann, A. Portavoce, C. Girardeaux: Appl. Phys. Lett. 92, 143104 (2008) Z. Balogh, Z. Erdélyi, D.L. Beke, G.A. Langer, A. Csik, H.-G. Boyen, U. Wiedwald, P. Ziemann, A. Portavoce, C. Girardeaux: Appl. Phys. Lett. 92, 143104 (2008)
6.116
Zurück zum Zitat M. Strassburg, M. Kuttler, O. Stier, U.W. Pohl, D. Bimburg, M. Behringer, D. Hommel: J. Crystal Growth 184–185, 465 (1998) M. Strassburg, M. Kuttler, O. Stier, U.W. Pohl, D. Bimburg, M. Behringer, D. Hommel: J. Crystal Growth 184–185, 465 (1998)
6.117
Zurück zum Zitat M. Eslamian, M. Ziad Saghir: Fluid Dyn. Mater. Process. 8, 353 (2012) M. Eslamian, M. Ziad Saghir: Fluid Dyn. Mater. Process. 8, 353 (2012)
6.118
Zurück zum Zitat J.C. Wang, R.F. Wood, P.P. Pronko: Appl. Phys. Lett. 33, 455 (1978) J.C. Wang, R.F. Wood, P.P. Pronko: Appl. Phys. Lett. 33, 455 (1978)
6.119
Zurück zum Zitat S.K. Srivastava, D.K. Avasthi, W. Assmann, Z.G. Wang, H. Kucal, E. Jacquet, H.D. Carstanjen, M. Toulemonde: Phys. Rev. B 71, 193405 (2005) S.K. Srivastava, D.K. Avasthi, W. Assmann, Z.G. Wang, H. Kucal, E. Jacquet, H.D. Carstanjen, M. Toulemonde: Phys. Rev. B 71, 193405 (2005)
6.120
Zurück zum Zitat P. Baeri, S.U. Campisano, G. Foti, E. Rimini: Appl. Phys. Lett. 33, 137 (1978) P. Baeri, S.U. Campisano, G. Foti, E. Rimini: Appl. Phys. Lett. 33, 137 (1978)
6.121
Zurück zum Zitat J.C. Dyre: J. Phys. C 19, 5655 (1986) J.C. Dyre: J. Phys. C 19, 5655 (1986)
6.122
Zurück zum Zitat Y.L. Khait, R. Beserman, D. Shaw, K. Dettmer: Phys. Rev. B 50, 14893 (1994) Y.L. Khait, R. Beserman, D. Shaw, K. Dettmer: Phys. Rev. B 50, 14893 (1994)
6.123
Zurück zum Zitat T. Noda: J. Apl. Phys. 94, 6396 (2003) T. Noda: J. Apl. Phys. 94, 6396 (2003)
Metadaten
Titel
Diffusion in Semiconductors
verfasst von
Derek Shaw
Copyright-Jahr
2017
Verlag
Springer International Publishing
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-48933-9_6

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