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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2011

01.06.2011 | Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Drift velocity of electrons in quantum wells of selectively doped In0.5Ga0.5As/Al x In1 − x As and In0.2Ga0.8As/Al x Ga1 − x As heterostructures in high electric fields

verfasst von: J. Požela, K. Požela, R. Raguotis, V. Jucienė

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2011

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Metadaten
Titel
Drift velocity of electrons in quantum wells of selectively doped In0.5Ga0.5As/Al x In1 − x As and In0.2Ga0.8As/Al x Ga1 − x As heterostructures in high electric fields
verfasst von
J. Požela
K. Požela
R. Raguotis
V. Jucienė
Publikationsdatum
01.06.2011
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2011
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782611060212

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