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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 4/2016

26.02.2016

Effect of Doping Concentration Variations in PVT-Grown 4H-SiC Wafers

verfasst von: Yu Yang, Jianqiu Guo, Ouloide Goue, Balaji Raghothamachar, Michael Dudley, Gil Chung, Edward Sanchez, Jeff Quast, Ian Manning, Darren Hansen

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 4/2016

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Metadaten
Titel
Effect of Doping Concentration Variations in PVT-Grown 4H-SiC Wafers
verfasst von
Yu Yang
Jianqiu Guo
Ouloide Goue
Balaji Raghothamachar
Michael Dudley
Gil Chung
Edward Sanchez
Jeff Quast
Ian Manning
Darren Hansen
Publikationsdatum
26.02.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 4/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4378-8

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