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Erschienen in:
1993 | OriginalPaper | Buchkapitel
Effects of D-Defects in CZ Silicon Upon Thin Gate Oxide Integrity
verfasst von : J.-G. Park, S.-P. Choi, G.-S. Lee, Y.-J. Jeong, Y.-S. Kwak, C.-K. Shin, S. Hahn, W. L. Smith, P. Mascher
Erschienen in: The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2
Verlag: Springer US
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In this study, using oxide breakdown voltage and time-dependent-dielectric breakdown measurements, thermal wave modulated reflectance (both mapping and imaging modes), positron annihilation spectroscopy and chemical etching/optical microscopy, we investigated:effects of D-defects upon oxide integrity,possible oxide breakdown mechanism due to D-defects, andnature of D-defects.