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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2006

01.02.2006 | Electronic and Optical Properties of Semiconductors

Electrical properties and low-temperature photolumincesence of Si-doped CdTe crystals

verfasst von: O. A. Parfenyuk, M. I. Ilashchuk, K. S. Ulyanitskiĭ, P. M. Fochuk, O. M. Strilchuk, S. G. Krylyuk, D. V. Korbutyak

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2006

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Metadaten
Titel
Electrical properties and low-temperature photolumincesence of Si-doped CdTe crystals
verfasst von
O. A. Parfenyuk
M. I. Ilashchuk
K. S. Ulyanitskiĭ
P. M. Fochuk
O. M. Strilchuk
S. G. Krylyuk
D. V. Korbutyak
Publikationsdatum
01.02.2006
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2006
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782606020059

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