Skip to main content
Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology 2/2013

01.11.2013 | Original Paper

Electrical properties of La0.6Ca0.4MnO3–Bi3.4Nd0.6Ti3O12 thin films derived by a sol–gel process

verfasst von: C. P. Cheng, M. H. Tang, Z. H. Tang, Y. C. Zhou

Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology | Ausgabe 2/2013

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Magnetoelectric (ME) xLa0.6Ca0.4MnO3–(1 − x)Bi3.4Nd0.6Ti3O12 (LCMO–BNT) composite thin films have been prepared by a sol–gel process and spin-coating technique. The effects of LCMO content on the microstructure, leakage current density, ferroelectric properties, fatigue endurance and ME voltage coefficient of LCMO–BNT thin films derived by sol–gel method were studied. It was found that the composite thin films have better fatigue endurance properties and lower leakage current densities compared with pure BNT thin films, as well as large ME voltage coefficients.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Literatur
2.
Zurück zum Zitat Nan CW, Bichurin MI, Dong SX, Viehland D, Srinivasan G (2008) J Appl Phys 103:031101CrossRef Nan CW, Bichurin MI, Dong SX, Viehland D, Srinivasan G (2008) J Appl Phys 103:031101CrossRef
5.
7.
Zurück zum Zitat Suchetelene Van (1972) J Philips Res Rep 27:28 Suchetelene Van (1972) J Philips Res Rep 27:28
8.
Zurück zum Zitat Zhao HQ, Peng X, Zhang LX, Chen J, Yan WS (2013) Appl Phys Lett 103:082904CrossRef Zhao HQ, Peng X, Zhang LX, Chen J, Yan WS (2013) Appl Phys Lett 103:082904CrossRef
9.
Zurück zum Zitat Gatel C, Warot-Fonrose B, Matzen S, Moussy JB (2013) Appl Phys Lett 103:092405CrossRef Gatel C, Warot-Fonrose B, Matzen S, Moussy JB (2013) Appl Phys Lett 103:092405CrossRef
10.
Zurück zum Zitat Qi XW, Zhou J, Yue ZX, Gui ZL, Li LT, Buddhudu SA (2004) Adv Funct Mater 14:920CrossRef Qi XW, Zhou J, Yue ZX, Gui ZL, Li LT, Buddhudu SA (2004) Adv Funct Mater 14:920CrossRef
11.
Zurück zum Zitat Dai YR, Bao P, Zhu JS, Wan JG, Shen HM, Liu JM (2004) J Appl Phys 96:5687CrossRef Dai YR, Bao P, Zhu JS, Wan JG, Shen HM, Liu JM (2004) J Appl Phys 96:5687CrossRef
12.
Zurück zum Zitat Ryu J, Carazo AV, Uchino K, Kim HE (2001) Jpn J Appl Phys Part 1(40):4948CrossRef Ryu J, Carazo AV, Uchino K, Kim HE (2001) Jpn J Appl Phys Part 1(40):4948CrossRef
13.
Zurück zum Zitat Srinivasan G, Rasmussen ET, Gallegos J, Srinivasan R, Bokhan YuI, Laletin VM (2001) Phys Rev B 64:214408CrossRef Srinivasan G, Rasmussen ET, Gallegos J, Srinivasan R, Bokhan YuI, Laletin VM (2001) Phys Rev B 64:214408CrossRef
14.
15.
16.
Zurück zum Zitat Wan JG, Wang XW, Wu YJ, Zeng M, Wang Y, Jiang H, Zhou WQ, Wang GH, Liu JM (2005) Appl Phys Lett 86:122501CrossRef Wan JG, Wang XW, Wu YJ, Zeng M, Wang Y, Jiang H, Zhou WQ, Wang GH, Liu JM (2005) Appl Phys Lett 86:122501CrossRef
17.
Zurück zum Zitat Ryu H, Murugavel P, Lee JH, Chae SC, Noh TW, Oh YS, Kim HJ, Kim KH, Jang JH, Park JG (2006) Appl Phys Lett 89:102907CrossRef Ryu H, Murugavel P, Lee JH, Chae SC, Noh TW, Oh YS, Kim HJ, Kim KH, Jang JH, Park JG (2006) Appl Phys Lett 89:102907CrossRef
18.
Zurück zum Zitat Maiwa H, Iizawa N, Togawa D, Hayashi T, Sakamoto W, Yamada M, Hirano SI (2003) Appl Phys Lett 82:1760CrossRef Maiwa H, Iizawa N, Togawa D, Hayashi T, Sakamoto W, Yamada M, Hirano SI (2003) Appl Phys Lett 82:1760CrossRef
20.
21.
Zurück zum Zitat Zhong XL, Wang JB, Liao M, Huang GJ, Xie SH, Zhou YC (2007) Appl Phys Lett 90:152903CrossRef Zhong XL, Wang JB, Liao M, Huang GJ, Xie SH, Zhou YC (2007) Appl Phys Lett 90:152903CrossRef
24.
Zurück zum Zitat Wang SY, Cheng BL, Wang C, Dai SY, Lu HB, Zhou YL, Chen ZH, Yang GZ (2004) Appl Phys Let 84:4116CrossRef Wang SY, Cheng BL, Wang C, Dai SY, Lu HB, Zhou YL, Chen ZH, Yang GZ (2004) Appl Phys Let 84:4116CrossRef
25.
Zurück zum Zitat Ahn KH, Baik S, Kim SS (2002) J Appl Phys 92:265 Ahn KH, Baik S, Kim SS (2002) J Appl Phys 92:265
26.
Zurück zum Zitat Zhong XL, Wang JB, Zheng XJ, Zhou YC, Yang GW (2004) Appl Phys Lett 85:5661CrossRef Zhong XL, Wang JB, Zheng XJ, Zhou YC, Yang GW (2004) Appl Phys Lett 85:5661CrossRef
27.
28.
29.
Zurück zum Zitat Zhou JP, He HC, Shi Z, Liu G, Nan CWJ (2006) Appl Phys 100:094106 Zhou JP, He HC, Shi Z, Liu G, Nan CWJ (2006) Appl Phys 100:094106
Metadaten
Titel
Electrical properties of La0.6Ca0.4MnO3–Bi3.4Nd0.6Ti3O12 thin films derived by a sol–gel process
verfasst von
C. P. Cheng
M. H. Tang
Z. H. Tang
Y. C. Zhou
Publikationsdatum
01.11.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Sol-Gel Science and Technology / Ausgabe 2/2013
Print ISSN: 0928-0707
Elektronische ISSN: 1573-4846
DOI
https://doi.org/10.1007/s10971-013-3176-5

Weitere Artikel der Ausgabe 2/2013

Journal of Sol-Gel Science and Technology 2/2013 Zur Ausgabe

    Marktübersichten

    Die im Laufe eines Jahres in der „adhäsion“ veröffentlichten Marktübersichten helfen Anwendern verschiedenster Branchen, sich einen gezielten Überblick über Lieferantenangebote zu verschaffen.