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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2008

01.03.2008 | Physics of Semiconductor Devices

Electrical properties of the InP/InGaAs pnp heterostructure-emitter bipolar transistor

verfasst von: J. H. Tsai, W. Ch. Liu, D. F. Guo, Y. Ch. Kang, Sh. Y. Chiu, W. Sh. Lour

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2008

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Metadaten
Titel
Electrical properties of the InP/InGaAs pnp heterostructure-emitter bipolar transistor
verfasst von
J. H. Tsai
W. Ch. Liu
D. F. Guo
Y. Ch. Kang
Sh. Y. Chiu
W. Sh. Lour
Publikationsdatum
01.03.2008
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2008
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782608030196

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