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Erschienen in:
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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

Electron and Hole Traps Related to A π-Bonded Oxygen Vacancy Center in SiO2

verfasst von : Ireneusz Strzalkowski

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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An oxygen vacancy is one of the most fundamental defects in SiO2. It influences many physical properties of silicon dioxide, e.g. charge trapping. Therefore a detailed knowledge of microscopy and chemical bonding of this defect is essential in understanding the physics of many problems in SiO2.

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Metadaten
Titel
Electron and Hole Traps Related to A π-Bonded Oxygen Vacancy Center in SiO2
verfasst von
Ireneusz Strzalkowski
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
Buch
The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_11

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