1988 | OriginalPaper | Buchkapitel
Electronic Structure of Defects in Amorphous SiO2
verfasst von : J. Robertson
Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2
Verlag: Springer US
Enthalten in: Professional Book Archive
Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by
The electronic structure, local bonding and reactions of the principal intrinsic point defects and some impurities (H2O, H, B, N, Ga, Ge, P, As) in amorphous silicon dioxide are reviewed.