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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

Electronic Structure of Defects in Amorphous SiO2

verfasst von : J. Robertson

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

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The electronic structure, local bonding and reactions of the principal intrinsic point defects and some impurities (H2O, H, B, N, Ga, Ge, P, As) in amorphous silicon dioxide are reviewed.

Metadaten
Titel
Electronic Structure of Defects in Amorphous SiO2
verfasst von
J. Robertson
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_10

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