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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2020

29.01.2020

Electron bistability and switching effects in Mo/p-CdTe/Mo structure

verfasst von: G. S. Khrypunov, V. O. Nikitin, O. L. Rezinkin, A. N. Drozdov, A. V. Meriuts, O. V. Pirohov, M. G. Khrypunov, M. V. Kirichenko, A. R. Danyliuk

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 5/2020

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Abstract

It has been experimentally shown that in a simple metal–semiconductor-metal structure with ohmic contacts, a reversible transition from a high-resistance state to a state with high electrical conductivity is possible under the influence of short current pulses of 80-ns duration with a peak voltage of more than 20 V. It was established that after the breakdown under static voltage, the structure irreversibly goes into a state with high electrical conductivity. At the same time, sections with negative differential resistance and negative differential conductivity appear on its low-frequency current–voltage characteristics at voltages less than 1 V. The most probable physical mechanisms that can provide such current–voltage characteristics are considered.
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Metadaten
Titel
Electron bistability and switching effects in Mo/p-CdTe/Mo structure
verfasst von
G. S. Khrypunov
V. O. Nikitin
O. L. Rezinkin
A. N. Drozdov
A. V. Meriuts
O. V. Pirohov
M. G. Khrypunov
M. V. Kirichenko
A. R. Danyliuk
Publikationsdatum
29.01.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-02926-6

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