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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2015

20.08.2015

Electronic transport in molybdenum dioxide thin films

verfasst von: Kale W. Harrison, Caleb D. Corolewski, Matthew D. McCluskey, Jeffrey Lindemuth, Su Ha, M. Grant Norton

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2015

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Abstract

Molybdenum dioxide (MoO2) is a mixed ionic electronic conductor with potential applications in energy storage and conversion. There is some ambiguity about the nature of the electronic conduction mechanism and its temperature dependence. Conductivity data as a function of temperature were obtained and explained within the framework of the band structure to support the description of MoO2 as a semi-metal. AC Hall effect measurements found low electron mobilities as expected for d band conduction. Collectively the data supported a combined conduction model including residual conductivity, low temperature hopping and impurity band conduction from Mo 4d bands degenerate with the conduction band.
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Metadaten
Titel
Electronic transport in molybdenum dioxide thin films
verfasst von
Kale W. Harrison
Caleb D. Corolewski
Matthew D. McCluskey
Jeffrey Lindemuth
Su Ha
M. Grant Norton
Publikationsdatum
20.08.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-3639-2

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