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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 21/2018

05.09.2018

Enhanced thermoelectric performance in p-type polycrystalline SnSe by Cu doping

verfasst von: Jiaran Li, Jingtao Xu, Hongxiang Wang, Guo-Qiang Liu, Xiaojian Tan, Hezhu Shao, Haoyang Hu, Jun Jiang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 21/2018

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Abstract

Polycrystalline Sn1−xCuxSe samples have been prepared using hot pressing to study the Cu doping effect on carrier concentration in SnSe. Different from Ag, Cu doping decreases the carrier concentration of SnSe at room temperature. The carrier concentration of Cu doped samples increases obviously with temperature, becomes larger than the pristine sample above 523 K, and approaches the values of Na doped SnSe at 773 K. The enhanced carrier concentration leads to better electrical conductivity, resulting in higher power factors at high temperatures. Due to carrier optimization by Cu, a peak ZT of 0.66 is achieved in Sn0.98Cu0.02Se at 813 K.
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Metadaten
Titel
Enhanced thermoelectric performance in p-type polycrystalline SnSe by Cu doping
verfasst von
Jiaran Li
Jingtao Xu
Hongxiang Wang
Guo-Qiang Liu
Xiaojian Tan
Hezhu Shao
Haoyang Hu
Jun Jiang
Publikationsdatum
05.09.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 21/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9996-x

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