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Journal of Materials Science
Erschienen in: Journal of Materials Science 2/2019

18.09.2018 | Ceramics

Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation

verfasst von: Min Liu, Shuyuan Zhang, Xiang Yang, Xue Chen, Zhongchao Fan, Xiaodong Wang, Fuhua Yang, Chao Ma, Zhi He

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 2/2019

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Abstract

In this study, the thermal oxidation rate of oxygen ion (O+) implanted 4H–silicon carbide (SiC) was investigated. And the critical breakdown electric field (Ebreakdown) and capacitance–voltage (CV) curve of the grown oxide (SiO2) film were also evaluated. It is found that the thermal SiO2 growth rate on 4H–SiC (0001) face was significantly improved by O+ implantation. Ebreakdown test results showed that the unconsumed amorphous and damaged crystalline layer under the grown SiO2 contained defects leading to an inferior critical breakdown field. Thus, in order to obtain a high-quality SiO2 film, the oxidation process should be designed delicately so that the damaged layer by implantation could be fully consumed.
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Metadaten
Titel
Enhancing oxidation rate of 4H–SiC by oxygen ion implantation
verfasst von
Min Liu
Shuyuan Zhang
Xiang Yang
Xue Chen
Zhongchao Fan
Xiaodong Wang
Fuhua Yang
Chao Ma
Zhi He
Publikationsdatum
18.09.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 2/2019
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1007/s10853-018-2921-0

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