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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2017

01.02.2017 | Electronic Properties of Semiconductors

Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn heavily doped with Y

verfasst von: V. A. Romaka, P. Rogl, V. V. Romaka, D. Kaczorowski, V. Ya. Krayovskyy, Yu. V. Stadnyk, A. M. Horyn

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2017

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Metadaten
Titel
Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn heavily doped with Y
verfasst von
V. A. Romaka
P. Rogl
V. V. Romaka
D. Kaczorowski
V. Ya. Krayovskyy
Yu. V. Stadnyk
A. M. Horyn
Publikationsdatum
01.02.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261702018X

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