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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2015

01.03.2015 | Physics of Semiconductor Devices

Formation of donor centers upon the annealing of silicon light-emitting structures implanted with oxygen ions

verfasst von: N. A. Sobolev, D. V. Danilov, O. V. Aleksandrov, A. S. Loshachenko, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, I. N. Trapeznikova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2015

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Metadaten
Titel
Formation of donor centers upon the annealing of silicon light-emitting structures implanted with oxygen ions
verfasst von
N. A. Sobolev
D. V. Danilov
O. V. Aleksandrov
A. S. Loshachenko
V. I. Sakharov
I. T. Serenkov
E. I. Shek
I. N. Trapeznikova
Publikationsdatum
01.03.2015
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615030203

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