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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Growth and Characterization of AlInGaN/AlN/GaN Grown by MOCVD

verfasst von : Ravi Loganathan, Mathaiyan Jayasakthi, Kandhasamy Prabakaran, Raju Ramesh, Ponnusamy Arivazhagan, Boopathi kuppulingam, Subramanian Sankaranarayanan, Manavaimaran Balaji, Shubra Singh, Krishnan Baskar

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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N epilayers have been grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at different temperatures from 740 to 940 °C. The incorporation of indium increases with decreasing growth temperature, while the incorporation of Al composition was 30–40 %. The optical properties of the samples have been investigated by photoluminescence (PL). The results show that the sample grown at 890 °C exhibits the best crystalline and optical quality.

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Metadaten
Titel
Growth and Characterization of AlInGaN/AlN/GaN Grown by MOCVD
verfasst von
Ravi Loganathan
Mathaiyan Jayasakthi
Kandhasamy Prabakaran
Raju Ramesh
Ponnusamy Arivazhagan
Boopathi kuppulingam
Subramanian Sankaranarayanan
Manavaimaran Balaji
Shubra Singh
Krishnan Baskar
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_28