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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 12/2016

20.10.2016

Growth and Characterization of Single Crystalline InN Grown on GaN by RF Sputtering for Robust Schottky Contacts

verfasst von: Vache Harotoonian, Jerry M. Woodall

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 12/2016

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Metadaten
Titel
Growth and Characterization of Single Crystalline InN Grown on GaN by RF Sputtering for Robust Schottky Contacts
verfasst von
Vache Harotoonian
Jerry M. Woodall
Publikationsdatum
20.10.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-5030-3

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