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2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

Hausdorff Distance Driven L-Shape Matching Based Layout Decomposition for E-Beam Lithography

verfasst von : Arindam Sinharay, Pranab Roy, Hafizur Rahaman

Erschienen in: VLSI Design and Test

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

Layout decomposition is a basic step in mask data preparation in e-beam lithography (EBL) writing. For larger throughput in EBL, L-shape-writing technique has recently been developed. It is termed as L-shape fracturing, similar in line with rectangular fracturing. However, implementation of this new technique may yield very thin/narrow features called slivers. For better manufacturability, it is preferable to minimize the overall sliver length. In this paper we propose a novel scheme based on Hausdorff distance metrics for L-shape fracturing with inherent sliver minimization. The proposed scheme starts with finding the concave corner vertices of input layout, and attempts to find a balanced partition of this set of concave corner points of the given layout. Subsequently, Hausdorff distance-based layout fracturing is performed. Experimental results demonstrate efficacy of our proposed algorithm.

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Literatur
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Metadaten
Titel
Hausdorff Distance Driven L-Shape Matching Based Layout Decomposition for E-Beam Lithography
verfasst von
Arindam Sinharay
Pranab Roy
Hafizur Rahaman
Copyright-Jahr
2017
Verlag
Springer Singapore
Buch
VLSI Design and Test

Print ISBN: 978-981-10-7469-1

Electronic ISBN: 978-981-10-7470-7

Copyright-Jahr: 2017

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-10-7470-7_29

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