Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2018

01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates

verfasst von: D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, T. S. Shamirzaev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2018

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Heterostructures with InAs/AlAs quantum dots are grown on GaAs/Si hybrid substrates. The experimentally observed low-temperature (5–80 K) photoluminescence spectra of InAs/AlAs/GaAs/Si heterostructures exhibit bands defined by excitonic recombination in quantum dots and a wetting layer, i.e., a thin quantum well lying at the base of the array of quantum dots. Temperature quenching of the photoluminescence of quantum dots occurs due to the direct trapping of charge carriers at defects localized in the AlAs matrix, in the vicinity of the quantum dots.
Vorheriger Artikel Development of a Physical-Topological Model for the Response of a High-Power Vertical DMOS Transistor to the Effect of Pulsed Gamma-Radiation
Nächster Artikel Verification of the Hypothesis on the Thermoelastic Nature of Deformation of a (0001)GaN Layer Grown on the Sapphire a-Cut

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
C. Sun, M. T. Wade, Y. Lee, J. S. Orcutt, and L. Alloatti, Nature (London, U.K.) 528, 534 (2015).ADSCrossRef
2.
3.
J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).ADS
4.
M. A. Putuato, Yu. B. Bolkhovityanov, A. P. Vasilenko, and A. K. Gutakovskii, Semiconductors 43, 1235 (2009).ADSCrossRef
5.
T. J. Grassman, M. R. Brenner, S. Rajagopalan, R. Unocic, R. Dehoff, M. Mills, H. Fraser, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 94, 232106 (2009).ADSCrossRef
6.
K. Yamane, T. Kawai, Y. Furukawa, H. Okada, and A. Wakahara, J. Cryst. Growth 312, 2179 (2010).ADSCrossRef
7.
T. Tsuji, H. Yonezu, and N. Ohshima, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1428 (2004).CrossRef
8.
D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emel’yanov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, A. V. Vasev, M. Yu. Esin, I. D. Loshkarev, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, and T. S. Shamirzaev, Optoelectron., Instrum. Data Process. 54, 181 (2018).ADSCrossRef
9.
T. S. Shamirzaev, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, A. K. Kalagin, K. S. Zhuravlev, M. Larsson, and P. O. Holtz, Phys. Rev. B 78, 085323 (2008).ADSCrossRef
10.
T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinsky, A. K. Kalagin, A. V. Nenashev, and K. S. Zhuravlev, Phys. Rev. B 76, 155309 (2007).ADSCrossRef
11.
T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. V. Nenashev, K. S. Zhuravlev, F. Trojanek, B. Dzurnvak, and P. Maly, Nanotechnology 21, 155703 (2010).ADSCrossRef
12.
D. S. Abramkin, A. K. Gutakovskii, and T. S. Shamirzaev, J. Appl. Phys. 123, 115701 (2018).ADSCrossRef
13.
T. S. Shamirzaev, K. S. Zhuravlev, N. A. Yakusheva, and I. P. Petrenko, Semicond. Sci. Technol. 13, 1123 (1998).ADSCrossRef
14.
P. Offermans, P. M. Koenraad, J. H. Wolter, K. Pierz, M. Roy, and P. A. Maksym, Phys. Rev. B 72, 165332 (2005).ADSCrossRef
15.
16.
D. S. Abramkin, E. A. Emel’yanov, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, A. S. Kozhukhov, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, and T. S. Shamirzaev, Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. 80, 17 (2016).CrossRef
17.
P. Offermans, P. M. Koenraad, R. Notzel, J. H. Wolter, and K. Pierz, Appl. Phys. Lett. 87, 111903 (2005).ADSCrossRef
18.
19.
C. F. Klingshirn, Semiconductor Optics, 3rd ed. (Springer, Berlin, 2006), p. 690.
20.
C. Gogineni, N. A. Riordan, S. R. Johnson, X. Lu, and T. Tiedje, Appl. Phys. Lett. 103, 041110 (2013).ADSCrossRef
21.
N. N. Ledentsov, J. Bohrer, M. Beer, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, S. V. Ivanov, B. Y. Meltser, S. V. Shaposhnikov, I. N. Yassievich, N. N. Faleev, P. S. Kop’ev, and Z. I. Alferov, Phys. Rev. B 52, 14058 (1995).ADSCrossRef
22.
T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinsky, A. K. Kalagin, A. I. Toropov, A. K. Gutakovskii, and K. S. Zhuravlev, Semicond. Sci. Technol. 21, 527 (2006).ADSCrossRef
23.
T. S. Shamirzaev, M. S. Seksenbaev, K. S. Zhuravlev, A. I. Nikiforov, V. V. Ul’yanov, and O. P. Pchelyakov, Phys. Solid State 47, 82 (2005).ADSCrossRef
24.
W. A. Harrison, Electronic Structure and Properties of Solids (W. H. Freeman, San Francisco, 1980), p. 838.
Metadaten
Titel
Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates
verfasst von
D. S. Abramkin
M. O. Petrushkov
M. A. Putyato
B. R. Semyagin
T. S. Shamirzaev
Publikationsdatum
01.11.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618110039

Weitere Artikel der Ausgabe 11/2018

Semiconductors 11/2018 Zur Ausgabe

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Multiphonon Intracenter Relaxation of Boron Acceptor States in Diamond

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

“Extremum Loop” Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Reduction of Internal Loss and Thermal Resistance in Diode Lasers with Coupled Waveguides

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Spectroscopy of Single AlInAs and (111)-Oriented InGaAs Quantum Dots

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface