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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 12/2009

01.12.2009 | Physics of Semiconductor Devices

High-power diode lasers (λ = 1.7–1.8 µm) based on asymmetric quantum-well separate-confinement InGaAsP/InP heterostructures

verfasst von: A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, N. V. Fetisova, A. Yu. Leshko, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, Yu. A. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, I. S. Tarasov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2009

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Metadaten
Titel
High-power diode lasers (λ = 1.7–1.8 µm) based on asymmetric quantum-well separate-confinement InGaAsP/InP heterostructures
verfasst von
A. V. Lyutetskiy
N. A. Pikhtin
N. V. Fetisova
A. Yu. Leshko
S. O. Slipchenko
Z. N. Sokolova
Yu. A. Ryaboshtan
A. A. Marmalyuk
I. S. Tarasov
Publikationsdatum
01.12.2009
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2009
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782609120057

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