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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2016

26.02.2016

High pressure synthesis of p-type Fe-substituted CoSb3 skutterudites

verfasst von: Yadi Liu, Xiaohui Li, Qian Zhang, Chen Chen, Jianghua Li, Long Zhang, Dongli Yu, Yongjun Tian, Bo Xu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 6/2016

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Abstract

Fe-substituted CoSb3 skutterudites were successfully synthesized with high pressure synthesis method. The composition, structure, and thermoelectric properties were investigated. Co4−x Fe x Sb12 samples have the skutterudite structure of \(\text{Im} \bar{3}\) symmetry. The hole concentration increases with elevating Fe substitution level. Compared with those ambient-pressure synthesized Fe-substituted CoSb3 samples, our samples exhibit enhanced power factor and suppressed thermal conductivity which benefitted from high pressure. The optimal Co3.2Fe0.8Sb12 shows a peak ZT of 0.53 at 823 K, the highest value for Co-rich p-type skutterudites with single-element substitution. Current study on Co4−x Fe x Sb12 provides a basis for further thermoelectric performance enhancement of Co-rich p-type skutterudites.
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Metadaten
Titel
High pressure synthesis of p-type Fe-substituted CoSb3 skutterudites
verfasst von
Yadi Liu
Xiaohui Li
Qian Zhang
Chen Chen
Jianghua Li
Long Zhang
Dongli Yu
Yongjun Tian
Bo Xu
Publikationsdatum
26.02.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 6/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-4582-6

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