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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2018

01.06.2018 | Physics of Semiconductor Devices

High-Sensitivity Photodetector Based on Atomically Thin MoS2

verfasst von: S. D. Lavrov, A. P. Shestakova, E. D. Mishina, Yu. R. Efimenkov, A. S. Sigov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2018

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Metadaten
Titel
High-Sensitivity Photodetector Based on Atomically Thin MoS2
verfasst von
S. D. Lavrov
A. P. Shestakova
E. D. Mishina
Yu. R. Efimenkov
A. S. Sigov
Publikationsdatum
01.06.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261806012X

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