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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 4/2009

01.04.2009 | Electronic and Optical Properties of Semiconductors

I–V characteristic of p-n structures based on a continuous solid solutions (Si2)1 − xx (CdS) x

verfasst von: A. S. Saidov, A. Yu. Leyderman, Sh. N. Usmonov, K. T. Kholikov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2009

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Metadaten
Titel
I–V characteristic of p-n structures based on a continuous solid solutions (Si2)1 − xx (CdS) x
verfasst von
A. S. Saidov
A. Yu. Leyderman
Sh. N. Usmonov
K. T. Kholikov
Publikationsdatum
01.04.2009
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 4/2009
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782609040022

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