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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/1998

01.01.1998 | Semiconductors Structures, Interfaces, and Surface

Impact ionization luminescence of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures

verfasst von: A. N. Kovalev, F. I. Manyakhin, V. E. Kudryashov, A. N. Turkin, A. É. Yunovich

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/1998

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Metadaten
Titel
Impact ionization luminescence of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructures
verfasst von
A. N. Kovalev
F. I. Manyakhin
V. E. Kudryashov
A. N. Turkin
A. É. Yunovich
Publikationsdatum
01.01.1998
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/1998
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1187358

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