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Journal of Electronic Materials

Erschienen in:

Open Access 31.01.2019 | Topical Collection: 60th Electronic Materials Conference 2018

Impact of Rotation Rate on Bismuth Saturation in GaAsBi Grown by Molecular Beam Epitaxy

verfasst von: Margaret A. Stevens, Kevin A. Grossklaus, John H. McElearney, Thomas E. Vandervelde

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 5/2019

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Titel: Impact of Rotation Rate on Bismuth Saturation in GaAsBi Grown by Molecular Beam Epitaxy
verfasst von: Margaret A. Stevens
Kevin A. Grossklaus
John H. McElearney
Thomas E. Vandervelde
Publikationsdatum: 31.01.2019
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2019
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-019-06949-6

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