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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 17/2018

06.07.2018

Improved ferroelectric properties of (100)-oriented PZT thin films deposited on stainless steel substrates with La0.5Sr0.5CoO3 buffer layers

verfasst von: Hongfang Li, Susu Wang, Jie Jian, Hanting Dong, Jianguo Chen, Dengren Jin, Jinrong Cheng

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 17/2018

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Abstract

Ferroelectric Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 (PZT) thin films were deposited on La0.5Sr0.5CoO3 (LSCO) buffered stainless steel (SS) substrates by the sol–gel processes. The introduction of LSCO buffer layers facilitated the formation of (100)-oriented PZT thin films, and the (100) orientation degree of PZT thin films was obviously improved from 20 to 62%. Such PZT thin films with smooth and dense microstructures exhibited enhanced remnant polarization, reduced dielectric loss and leakage current density of 42 µC/cm2, 2.7% at 1 kHz, and 7.6 × 10− 7 A/cm2 at 300 kV/cm, respectively. Moreover, the fatigue endurance property of PZT thin films was also improved.
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Metadaten
Titel
Improved ferroelectric properties of (100)-oriented PZT thin films deposited on stainless steel substrates with La0.5Sr0.5CoO3 buffer layers
verfasst von
Hongfang Li
Susu Wang
Jie Jian
Hanting Dong
Jianguo Chen
Dengren Jin
Jinrong Cheng
Publikationsdatum
06.07.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 17/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9601-3

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