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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 1/2016

01.01.2016

Improved Optical Performance of InAs Quantum Dot Structure via Suitable Manipulation of GaAs Cap Layer Growth

verfasst von: Zhiqiang Qi, Senlin Li, Shichuang Sun, Wei Zhang, Wei Ye, Yanyan Fang, Jiangnan Dai, Changqing Chen

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 1/2016

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Metadaten
Titel
Improved Optical Performance of InAs Quantum Dot Structure via Suitable Manipulation of GaAs Cap Layer Growth
verfasst von
Zhiqiang Qi
Senlin Li
Shichuang Sun
Wei Zhang
Wei Ye
Yanyan Fang
Jiangnan Dai
Changqing Chen
Publikationsdatum
01.01.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 1/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-015-4169-7

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