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Erschienen in:

01.05.2012

In Situ Stress Measurements During GaN Growth on Ion-Implanted AlN/Si Substrates

verfasst von: Jarod C. Gagnon, Mihir Tungare, Xiaojun Weng, Jeffrey M. Leathersich, Fatemeh Shahedipour-Sandvik, Joan M. Redwing

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Titel: In Situ Stress Measurements During GaN Growth on Ion-Implanted AlN/Si Substrates
verfasst von: Jarod C. Gagnon
Mihir Tungare
Xiaojun Weng
Jeffrey M. Leathersich
Fatemeh Shahedipour-Sandvik
Joan M. Redwing
Publikationsdatum: 01.05.2012
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2012
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-011-1852-1