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Erschienen in:
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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

Influence of Different Preparation Methods on Interfacial (SiO2/Si) Parameters of Very Thin SiO2 Layers

verfasst von : Georges Pananakakis, Panagiota Morfouli, Georges Kamarinos

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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Very thin Silicon dioxide layers (thickness less than 100 Ä) have a growing importance for the VLSI integrated circuits. Indeed they are used in EEPROM (memories) and in a variety of bistable devices (as the MISS for example). Besides they could be used as intermediate dielectric tunnel layers serving to enhance injection in Schottky contacts for bipolar circuit applications.

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Metadaten
Titel
Influence of Different Preparation Methods on Interfacial (SiO2/Si) Parameters of Very Thin SiO2 Layers
verfasst von
Georges Pananakakis
Panagiota Morfouli
Georges Kamarinos
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
Buch
The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_40

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