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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2017

23.11.2016

Influence of low-temperature heat treatment on electronic properties in Cu2ZnSn(S,Se)4/CdS solar cells

verfasst von: Na Xu, Guang Pu, Lei Meng

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 6/2017

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Abstract

This work aims at studying the effects of modifying structure and properties of CdS buffer layer on the electrical performance in Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells, by using a low-temperature heat treatment. The V oc and FF in Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells annealed at 200 °C have increased from 300 mV and 36.9% to 325 mV and 52.3%, leading to improvement of the conversion efficiency from 2.85 to 4.38%. Experimental analysis combined with first-principle calculations suggest these phenomena mentioned above are possible attributed to the enhancement of the conduction band minimum of CdS semiconductor induced by phase transition.
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Metadaten
Titel
Influence of low-temperature heat treatment on electronic properties in Cu2ZnSn(S,Se)4/CdS solar cells
verfasst von
Na Xu
Guang Pu
Lei Meng
Publikationsdatum
23.11.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 6/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-6118-5

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