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Erschienen in:

01.08.2007 | Special Issue Paper

Influence of the Silicon Substrate on Defect Formation in MCT Grown on II-VI Buffered Si Using a Combined Molecular Beam Epitaxy/Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Technique

verfasst von: Janet E. Hails, Andrew M. Keir, Andrew Graham, Gerald M. Williams, Jean Giess

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Titel: Influence of the Silicon Substrate on Defect Formation in MCT Grown on II-VI Buffered Si Using a Combined Molecular Beam Epitaxy/Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Technique
verfasst von: Janet E. Hails
Andrew M. Keir
Andrew Graham
Gerald M. Williams
Jean Giess
Publikationsdatum: 01.08.2007
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Electronic Materials / Ausgabe 8/2007
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-007-0113-9