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Erschienen in:
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1988 | OriginalPaper | Buchkapitel

Interface Properties and Recombination Mechanisms in Simox Structures

verfasst von : T. Elewa, H. Haddara, S. Cristoloveanu

Erschienen in: The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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In this paper, we present new methods and results related to the characterization of silicon on insulator material fabricated by deep oxygen implantation (SIMOX). The minority carrier lifetime as well as the surface recombination velocity are obtained using depletion-mode MOSFETs. This is done by monitoring the drain current while the gate is being pulsed into deep depletion.

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Metadaten
Titel
Interface Properties and Recombination Mechanisms in Simox Structures
verfasst von
T. Elewa
H. Haddara
S. Cristoloveanu
Copyright-Jahr
1988
Verlag
Springer US
Buch
The Physics and Technology of Amorphous SiO2

Print ISBN: 978-1-4612-8301-0

Electronic ISBN: 978-1-4613-1031-0

Copyright-Jahr: 1988

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4613-1031-0_67

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