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2018 | OriginalPaper | Buchkapitel

1. Introduction

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Abstract

Embedded systems are pervasively utilized in every aspect of the electonic and computing systems‚ and very much supported and advanced by hardware and software developments. Among embedded memory species, embedded flash memory has had unique and important key factors contributing to the advancement of embedded systems and MCU innovations.

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Literatur
1.
Zurück zum Zitat M. Nakajima, I. Naka, F. Matsushima, T. Yamauchi, A 20 μA/MHz at 200 MHz microcontroller with low power memory access scheme for small sensing nodes. in Proceedings of COOL Chips 2016 (2016) M. Nakajima, I. Naka, F. Matsushima, T. Yamauchi, A 20 μA/MHz at 200 MHz microcontroller with low power memory access scheme for small sensing nodes. in Proceedings of COOL Chips 2016 (2016)
2.
Zurück zum Zitat C. Kuo, T. Toms, N.M. Weidner, H. Choe, D. Shum, K.-M. Chang, P. Smith, A 512 KB flash EEPROM for a 32 bit microcontroller. in Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers, pp. 87–88 (1991) C. Kuo, T. Toms, N.M. Weidner, H. Choe, D. Shum, K.-M. Chang, P. Smith, A 512 KB flash EEPROM for a 32 bit microcontroller. in Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers, pp. 87–88 (1991)
3.
Zurück zum Zitat Y. Taito, M. Nakano, H. Okimoto, D. Okada, T. Ito, T. Kono, K. Noguchi, H. Hidaka, T. Yamauchi, A 28 nm embedded SG-MONOS flash macro for automotive achieving 200 MHz read operation and 2.0 MB/s write throughput at Tj of 170 °C. in Digest of Technical Papers, International Solid-State Circuits Conference, pp. 132–133 (2015) Y. Taito, M. Nakano, H. Okimoto, D. Okada, T. Ito, T. Kono, K. Noguchi, H. Hidaka, T. Yamauchi, A 28 nm embedded SG-MONOS flash macro for automotive achieving 200 MHz read operation and 2.0 MB/s write throughput at Tj of 170 °C. in Digest of Technical Papers, International Solid-State Circuits Conference, pp. 132–133 (2015)
4.
Zurück zum Zitat S. Tsuda, Y. Kawasima, K. Sonoda, A. Yoshitomi, T. Mihara, S. Narumi, M. Inoue, S. Nuranaka, T. Maruyama, T. Yamashita, Y. Yamaguchi, D. Hisamoto, First demonstration of FinFET split-gate MONOS for high-speed and highly-reliable embedded flash in 16/14 nm-node and beyond. in Technical Digest—International Electron Devices Meeting, 11.1 (2016) S. Tsuda, Y. Kawasima, K. Sonoda, A. Yoshitomi, T. Mihara, S. Narumi, M. Inoue, S. Nuranaka, T. Maruyama, T. Yamashita, Y. Yamaguchi, D. Hisamoto, First demonstration of FinFET split-gate MONOS for high-speed and highly-reliable embedded flash in 16/14 nm-node and beyond. in Technical Digest—International Electron Devices Meeting, 11.1 (2016)
Metadaten
Titel
Introduction
verfasst von
Hideto Hidaka
Copyright-Jahr
2018
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-55306-1_1

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