Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Technical Physics
Erschienen in: Technical Physics 12/2023

01.12.2023

Investigation of Power IR (850 nm) Light-Emitting Diodes Manufacturing by Lift-Off Technique of AlGaAs–GaAs-Heterostructure to Carrier-Substrate

verfasst von: A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, F. Y. Soldatenkov, R. V. Levin, R. A. Salii, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. R. Larionov, V. M. Andreev

Erschienen in: Technical Physics | Ausgabe 12/2023

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Development of lift-off technique of AlGaAs/GaAs-heterostructures, grown by the Metalorganic vapour-phase epitaxy, to GaAs carrier-substrate using silver-containing paste or Au–In compound has been carried out. Forming process of frontal ohmic contact to GaAs n-type conductivity based on contact systems Au(Ge)/Ni/Au and Pd/Ge/Au with specific contact resistance (2–5) × 10–6 Ω cm2 has been investigated. Analyzed was the influence of heterostructure lift-off technique and forming process of frontal ohmic contact on the IR light-emitting diodes parameters: minimum light-emitting diodes (1 mm2 square) series resistance was 0.16 Ω. Optical power 270 mW at current 1.5 A has been achieved.
Vorheriger Artikel Kinetics of Photon Radiation Formation during Deformation and Destruction of Compact Bone Tissue
Nächster Artikel Simulation of Ion Irradiation of Crystalline and Amorphous Targets Tokamak-Reactor First Wall Materials

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
E. F. Shubert. Light-Emitting Diodes (second edition) (Cambridge University Press, 2006).CrossRef
2.
3.
Electronic source. “EPISTAR Corporation” https:// www.epistar.com/EpistarEn/prodInfo.
4.
5.
6.
7.
8.
A. G. Baca, F. Ren, J. C. Zolper, R. D. Briggs, S. J. Pearton. Thin Solid Films, 309, 599 (1997).CrossRef
9.
P. H. Hao, L. C. Wang, Fei Deng, S. S. Lau, J. Y. Cheng. J. Appl. Phys., 79, 4211 (1996).ADSCrossRef
10.
Metadaten
Titel
Investigation of Power IR (850 nm) Light-Emitting Diodes Manufacturing by Lift-Off Technique of AlGaAs–GaAs-Heterostructure to Carrier-Substrate
verfasst von
A. V. Malevskaya
N. A. Kalyuzhnyy
F. Y. Soldatenkov
R. V. Levin
R. A. Salii
D. A. Malevskii
P. V. Pokrovskii
V. R. Larionov
V. M. Andreev
Publikationsdatum
01.12.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Technical Physics / Ausgabe 12/2023
Print ISSN: 1063-7842
Elektronische ISSN: 1090-6525
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063784223080194

Weitere Artikel der Ausgabe 12/2023

Technical Physics 12/2023 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Simulation of Polycrystalline Beryllium Sputtering by H, D, T Atoms

OriginalPaper

Effect of Partial Substitution of Iron for Group IV Elements on the Structure and Superconducting Properties of the Fe(Se0.2Te0.8)0.82 Compound

OriginalPaper

Analysis of the Effect of Yield Stress on Stress Corrosion Cracking of Martensitic and Ferritic Steels in Acidic Environments

OriginalPaper

Ultrafast Laser-Induced Control of Magnetic Anisotropy in Nanostructures

OriginalPaper

Optical and Electron-Beam Initiation of Porous Silicon Films with Different Contents of Oxidizer and Graphene

OriginalPaper

Influence of the Sign of the Zeta Potential of Nanodiamond Particles on the Morphology of Graphene-detonation Nanodiamond Composites in the form of Suspensions and Aerogels

Premium Partner

    Marktübersichten

    Die im Laufe eines Jahres in der „adhäsion“ veröffentlichten Marktübersichten helfen Anwendern verschiedenster Branchen, sich einen gezielten Überblick über Lieferantenangebote zu verschaffen. 

    Zur Marktübersicht
    Bildnachweise