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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 4/2017

01.04.2017 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si p–n photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy

verfasst von: D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, A. P. Gorshkov, V. P. Mishkin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2017

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Metadaten
Titel
Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si p–n photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy
verfasst von
D. O. Filatov
I. A. Kazantseva
V. G. Shengurov
V. Yu. Chalkov
S. A. Denisov
A. P. Gorshkov
V. P. Mishkin
Publikationsdatum
01.04.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 4/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617040042

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