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Semiconductors

11.10.2023 | SURFACES, INTERFACES, AND THIN FILMS

Investigation of Structure, First Order Optical Susceptibility, Non-Linear Optical, Electrical Susceptibility Results, and IV Characterizations of Graphene Multilayer

verfasst von: A. Abdel Moez, M. A. Salem, H. A. Elmeleegi, Z. S. Elmandouh

Erschienen in: Semiconductors

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Abstract

Graphene sample was synthesized using pulsed laser deposition technique. The structure for graphene sample was investigated using both of transmission electron microscopy, for powder graphene, diffraction electron microscopy, and X-ray diffraction technique for thin film. The first order of moment M–1 and the third order of moment M–3 were determined optically. The linear optical susceptibility χ(1) for this sample was determined. Non-linear optical parameters such as third-order non-linear optical susceptibility χ(3), non-linear absorption coefficient βc, and non-linear refractive index n2 were determined for this sample. The electrical susceptibility χe and relative permittivity εr were calculated. The electronic results such as density of valence band, density of conduction band, and Fermi level position were determined. IV Characterizations for this sample were studied in case of forward and reverse current and in case of darkness and illumination.

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Literatur
1.
2.
N. Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H. T. Jonkman, and B. J. V. Wees, Nature (London, U.K.) 448 (7153), 571 (2007).ADSCrossRef
3.
4.
T. Ramanathan, A. A. Abdala, S. Stankovich, D. A. Dikin, M. Herrera-Alonso, R. D. Pinar, D. H. Adamson, H. C. Schnipp, X. Chen, R. S. Ruoff, S. T. Nguyen, I. A. Aksay, R. K. Prudhomme, and L. C. Brinson, Nat. Nanotechnol. 3, 327 (2008).ADSCrossRef
5.
6.
S. R. C. Vivekchand, C. S. Rout, K. S. Subrahmanyam, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao, J. Chem. Sci. 120, 9 (2008).CrossRef
7.
8.
S. Patchkovskii, J. S. Tse, S. N. Yurchenko, L. Zhechkov, T. Heine, and G. Seifert, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 102, 10439 (2005).ADSCrossRef
9.
10.
11.
K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, and I. V. Grigorieva, Nature (London, U.K.) 438, 197 (2005).ADSCrossRef
12.
Y. B. Zhang, Y. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, Nature (London, U.K.) 438, 201 (2005).ADSCrossRef
13.
J. C. Meyer, A. K. Geim, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, T. J. Booth, and S. Roth, Nature (London, U.K.) 446, 60 (2007).ADSCrossRef
14.
15.
F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, and M. I. Katsnelson, Nat. Mater. 6, 652 (2007).ADSCrossRef
16.
17.
J. C. Meyer, C. O. Girit, M. F. Crommie, and A. Zettl, Nature (London, U.K.) 454, 319 (2008).ADSCrossRef
18.
V. C. Tung, M. J. Allen, Y. Yang, and R. B. Kaner, Nat. Nanotechnol. 4, 25 (2009).ADSCrossRef
19.
20.
M. J. McAllister, J. Li, D. H. Adamson, H. C. Schniepp, A. A. Abdala, J. Liu, M. Herrera-Alonso, D. L. Milius, R. Car, R. K. Prudhomme, and I. A. Aksay, Chem. Mater. 19, 4396 (2007).CrossRef
21.
T. M. Radadiya, Eur. J. Mater. Sci. 2, 6 (2015).
22.
K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science (Washington, DC, U. S.) 306, 666 (2004).ADSCrossRef
23.
K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, G. Funderberg, J. Hones, P. Kim, and H. L. Stormer, Solid State Commun. 146, 351 (2008).ADSCrossRef
24.
R. Sanjinés, M. D. Abad, C. Vaju, R. Smajda, and M. M. Magrez, Surf. Coat. Technol. 206, 727 (2011).CrossRef
25.
J. Algdal, T. Balasubramanian, M. Breitholtz, T. Kihlgren, and L. Wallden, Surf. Sci. 601, 1167 (2007).ADSCrossRef
26.
R. Sengupt, M. Bhattachary, S. Bandyopadhyay, and A. K. Bhowmick, Prog. Polym. Sci. 36, 638 (2011).CrossRef
27.
28.
S. Biswas, H. Fukushima, and L. T. Drzal, Appl. Sci. Manuf. 42, 371 (2011).CrossRef
29.
30.
G. Venugopal, K. Krishnamoorthy, R. Mohan, and S. J. Kim, Mater. Chem. Phys. 132, 29 (2012).CrossRef
31.
Y. L. Li, C. F. Kuan, C. H. Chen, H. C. Kuan, M. C. Yip, S. L. Chiu, and C. L. Chiang, Mater. Chem. Phys. 134, 677 (2012).CrossRef
32.
M. R. Mahmoudian, Y. Alias, and W. J. Basirun, Electrochim. Acta 72, 53 (2012).CrossRef
33.
34.
R. Kumar, R. K. Singh, J. Singh, R. S. Tiwari, and O. N. Srivastava, J. Alloys Compd. 526, 129 (2012).CrossRef
35.
S. Lou, Y. Wang, S. Zhou, W. Xu, G. Zhu, R. Yuan, Y. Hao, and N. Li, Mater. Lett. A 67, 169 (2012).CrossRef
36.
37.
38.
39.
S. Sonde, C. Vecchio, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, V. Raineri, and E. Rimini, Phys. E (Amsterdam, Neth.) 44, 989 (2012).
40.
41.
N. Liu, F. Luo, H. Wu, Y. Liu, and C. Zhang, Adv. Func. Mater. 18, 1518 (2008).CrossRef
42.
H. A. Elmeleegi, Z. S. Elmandouh, A. Abdel Moez, and F. Taher, Int. J. Adv. Res. Phys. Sci. 2 (4), 1 (2015).
43.
H. A. Elmeleegi, Z. S. Elmandouh, and A. Abdel Moez, Turk. J. Phys. 38, 145 (2014).CrossRef
44.
A. I. Ali, J. Y. Son, A. H. Ammar, A. Abdel Moez, and Y. S. Kim, Res. Phys. 3, 167 (2013).
45.
S. E. Fritz, T. W. Kelley, and C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B 109, 10574 (2005).CrossRef
46.
47.
B. Derkowskaa, B. Sahraouia, X. N. Phua, and W. Bala, Proc. of SPIE 4412, 337 (2001).ADSCrossRef
48.
H. Tichá and L. Tichy, J. Optoelectron. Adv. Mater. 4, 381 (2002).
49.
P. Zhou, G. You, J. Li, S. Wang, S. Qian, and L. Chen, Opt. Express 13, 1508 (2005).ADSCrossRef
50.
51.
S. J. Mathews, C. S. Kumar, L. Giribabu, and S. V. Rao, Opt. Commun. 280, 206 (2007).ADSCrossRef
52.
CODATA Value: Electric Constant, The NIST Reference on Constants, Units, and Uncertainty (US Natl. Inst. Standards Technol., 2015). Accessed September 25, 2015.
53.
54.
55.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley-Interscience, New York, 1969).
56.
Metadaten
Titel
Investigation of Structure, First Order Optical Susceptibility, Non-Linear Optical, Electrical Susceptibility Results, and IV Characterizations of Graphene Multilayer
verfasst von
A. Abdel Moez
M. A. Salem
H. A. Elmeleegi
Z. S. Elmandouh
Publikationsdatum
11.10.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782621060075

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