Kristallvorbereitung

Die Kristallvorbereitung umfaßt alle Bearbeitungsschritte, die erforderlich sind, um aus Einkristallrohlingen gebrauchsfertige Kristallscheiben zu erhalten, wie sie die Planartechnik z.B. benötigt. Mit Ausnahme von dendritisch gezogenem “Web”-Material1 (hier ist nur Ritzen und Brechen nötig), sind dazu folgende Arbeitsgänge auszuführen: Bestimmung der Eigenschaften des Einkristallrohlings wie z.B. spezifischer Widerstand, Gehalt an Verunreinigungen, Perfektion des Kristalls sowie Größe und Gewicht,Abschleifen des Einkristallrohlings auf den gewünschten Scheibendurchmesser,Anschleifen von einem oder mehreren “Flats” entlang des Siliziumstabes zur Kennzeichnung der Kristallorientierung (Abb.7.1),Sägen der Halbleiterscheiben in der gewünschten Kristallrichtung,Kennzeichnung der Halbleiterscheiben durch einen Identifikatonscode, meist mittels Laserstrahl,Läppen und Schleifen der Halbleiterscheiben, um eine ebene Fläche zu erzielen und die Scheibendicke einzustellen,Verrundung der Scheibenkanten, damit weniger Partikel von den Rändern absplittern und an den Kanten bei Schichtabscheidungen Überhöhungen verringert werden,chemische oder elektrochemische Ätzung der Oberfläche zur Beseitigung von Verunreinigungen und Kristalldefekten,chemisch-mechanisches Polieren, um eine plane und spiegelnde Oberfläche zu erhalten,Reinigung der Kristalloberfläche unmittelbar vor dem nächsten Bearbeitungsschritt (z.B. Oxidation).