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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2001

01.05.2001 | Physics of Semiconductor Devices

Light emitting diodes for the spectral range λ=3.3–4.3 µm fabricated from InGaAs and InAsSbP solid solutions: Electroluminescence in the temperature range of 20–180°C (Part 2)

verfasst von: M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2001

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Metadaten
Titel
Light emitting diodes for the spectral range λ=3.3–4.3 µm fabricated from InGaAs and InAsSbP solid solutions: Electroluminescence in the temperature range of 20–180°C (Part 2)
verfasst von
M. Aidaraliev
N. V. Zotova
S. A. Karandashev
B. A. Matveev
M. A. Remennyi
N. M. Stus’
G. N. Talalakin
Publikationsdatum
01.05.2001
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2001
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1371629

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