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2023 | OriginalPaper | Buchkapitel

Linearity Analysis of AlN/β-Ga2O3 HEMT for RFIC Design

verfasst von : Yogesh Kumar Verma, Varun Mishra, Rajan Singh, Trupti Ranjan Lenka, Santosh Kumar Gupta

Erschienen in: HEMT Technology and Applications

Verlag: Springer Nature Singapore

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Abstract

In this work, the different figures-of-merit for AlN/β-Ga2O3 High Electron Mobility Transistor (HEMT) are computed using TCAD. The first and second-order derivatives of transconductance, output-conductance (gd), intrinsic-gain (dB), gate-source capacitance (Cgs), gate-drain capacitance (Cgd), transconductance-generation factor (TGF), transconductance-frequency product (TFP), 1-dB compression-point, extrapolated input voltages (VIP2 and VIP3), third-order input intercept point (IIP3), third-order intermodulation distortion (IMD3), and gain-transconductance frequency product (GTFP) are computed to predict the linearity performance and minimize intermodulation distortion. The present analysis is beneficial for optimizing the device bias point required for RFIC design.

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Metadaten
Titel
Linearity Analysis of AlN/β-Ga2O3 HEMT for RFIC Design
verfasst von
Yogesh Kumar Verma
Varun Mishra
Rajan Singh
Trupti Ranjan Lenka
Santosh Kumar Gupta
Copyright-Jahr
2023
Verlag
Springer Nature Singapore
Buch
HEMT Technology and Applications

Print ISBN: 978-981-19-2164-3

Electronic ISBN: 978-981-19-2165-0

Copyright-Jahr: 2023

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-19-2165-0_15