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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2018

01.07.2018 | Electronic Properties of Semiconductors

Radiative Recombination, Carrier Capture at Traps, and Photocurrent Relaxation in PbSnTe:In with a Composition Close to Band Inversion

verfasst von: D. V. Ishchenko, I. G. Neizvestny

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2018

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Metadaten
Titel
Radiative Recombination, Carrier Capture at Traps, and Photocurrent Relaxation in PbSnTe:In with a Composition Close to Band Inversion
verfasst von
D. V. Ishchenko
I. G. Neizvestny
Publikationsdatum
01.07.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618070096

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