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Journal of Materials Science
Erschienen in: Journal of Materials Science 18/2007

01.09.2007

In-situ elevated-temperature TEM study of (AgSbTe2)15(GeTe)85

verfasst von: Bruce A. Cook, Xuezheng Wei, Joel L. Harringa, Matthew J. Kramer

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 18/2007

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Abstract

(AgSbTe2)15(GeTe)85 (TAGS-85) is a p-type semiconductor characterized by a maximum dimensionless thermoelectric figure of merit of 1.4–1.7 at elevated temperature. In this study, the microstructure of as-solidified TAGS-85 at room temperature and elevated temperature (160 °C) was investigated using TEM. At room temperature, pervasive twinning was observed throughout the specimen. Upon heating to above 120 °C, some of the twins dissolved and new point defects began to nucleate. The mechanisms responsible for formation of high temperature defects are discussed.
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Literatur
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Hsu KF, Loo S, Guo F, Chen W, Dyck J, Uher C, Hogan T, Polychroniadis E, Kanatzidis M (2004) Science 303:818CrossRef
Metadaten
Titel
In-situ elevated-temperature TEM study of (AgSbTe2)15(GeTe)85
verfasst von
Bruce A. Cook
Xuezheng Wei
Joel L. Harringa
Matthew J. Kramer
Publikationsdatum
01.09.2007
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 18/2007
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1007/s10853-007-1898-x

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