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Journal of Materials Science
Erschienen in: Journal of Materials Science 10/2017

20.01.2017 | Original Paper

The influence of N and Bi on the band gap and sub-band interactions in a proposed material GaSb1−x−y N y Bi x /GaSb: a theoretical approach

verfasst von: Utsa Das, S. Dhar

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 10/2017

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Abstract

The quaternary GaSb1−x−y N y Bi x , epitaxially grown over GaSb substrates, is proposed as a suitable material for optoelectronic devices in the mid-infrared region. Conduction band anti-crossing and valence band anti-crossing models are used to calculate the conduction band and valence band split-off energies and strain in the material as functions of Bi and N contents. Material compositions and band gap are calculated for various strain conditions, such as unstrained, tensile strain and compressive strain. Ratio of nitrogen concentration to Bi concentration for perfect lattice match with GaSb substrate is calculated as 0.14.
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Metadaten
Titel
The influence of N and Bi on the band gap and sub-band interactions in a proposed material GaSb1−x−y N y Bi x /GaSb: a theoretical approach
verfasst von
Utsa Das
S. Dhar
Publikationsdatum
20.01.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 10/2017
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1007/s10853-017-0795-1

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