nach oben

Erschienen in:

01.09.2014

Electrical Properties and Current Transport Mechanisms of the Au/n-GaN Schottky Structure with Solution- Processed High-k BaTiO₃ Interlayer

verfasst von: V. Rajagopal Reddy, V. Manjunath, V. Janardhanam, Yeon-Ho Kil, Chel-Jong Choi

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config

KI-gestützte Suche

Aus

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

aus folgenden Fachgebieten:

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

aus folgenden Fachgebieten:

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Titel: Electrical Properties and Current Transport Mechanisms of the Au/n-GaN Schottky Structure with Solution- Processed High-k BaTiO3 Interlayer
verfasst von: V. Rajagopal Reddy
V. Manjunath
V. Janardhanam
Yeon-Ho Kil
Chel-Jong Choi
Publikationsdatum: 01.09.2014
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Electronic Materials / Ausgabe 9/2014
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI: https://doi.org/10.1007/s11664-014-3177-3