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2006 | OriginalPaper | Buchkapitel

Electronic Properties and Characterisation of Disordered Semiconductors

verfasst von : J. M. Marshall

Erschienen in: Functional Properties of Nanostructured Materials

Verlag: Springer Netherlands

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This paper commences with a brief review of the conventional concepts of electronic transport in the solid state, for ideal single-crystal materials. It then describes the manner in which these must be modified to incorporate the effects of disorder, how parameters such as the carrier mobilities are influenced, and how some of the techniques used to determine these properties are affected. Additionally, it is shown that computer-based modelling is a powerful tool for predicting and understanding the experimental behaviour.

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Metadaten
Titel
Electronic Properties and Characterisation of Disordered Semiconductors
verfasst von
J. M. Marshall
Copyright-Jahr
2006
Verlag
Springer Netherlands
DOI
https://doi.org/10.1007/1-4020-4594-8_2

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