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Journal of Materials Science
Erschienen in: Journal of Materials Science 7/2007

01.04.2007 | 4th Brazilian MRS Meeting

Influence of graded interfaces on the exciton energy of type-I and type-II Si/Si1-x Gex quantum wires

verfasst von: Andrey Chaves, Jusciane da Costa e Silva, José Alexander de King Freire, Marcos Henrique Degani, Valder Nogueira Freire, Gil de Aquino Farias

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 7/2007

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Abstract

The exciton properties of Si/Si 1-x Ge x cylindrical quantum wires (QWRs) are calculated using the variational method and taking into account the existence of an interface layer between the materials. We consider two possibilities for the conduction band lineup, type-I and type-II. Our numerical results show that an interfacial fluctuation of 15Å in a Si 0.85 Ge 0.15 (Si0.70Ge0.30) type-I (type-II) wire of 50Å wire radius leads to an exciton energy blue shift of the order of 10 (10) meV.
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Metadaten
Titel
Influence of graded interfaces on the exciton energy of type-I and type-II Si/Si1-x Gex quantum wires
verfasst von
Andrey Chaves
Jusciane da Costa e Silva
José Alexander de King Freire
Marcos Henrique Degani
Valder Nogueira Freire
Gil de Aquino Farias
Publikationsdatum
01.04.2007
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 7/2007
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1007/s10853-006-0617-3

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