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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2/2006

01.02.2006 | Review

Steady-State and Transient Electron Transport Within the III–V Nitride Semiconductors, GaN, AlN, and InN: A Review

verfasst von: Stephen K. O'Leary, Brian E. Foutz, Michael S. Shur, Lester F. Eastman

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 2/2006

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Metadaten
Titel
Steady-State and Transient Electron Transport Within the III–V Nitride Semiconductors, GaN, AlN, and InN: A Review
verfasst von
Stephen K. O'Leary
Brian E. Foutz
Michael S. Shur
Lester F. Eastman
Publikationsdatum
01.02.2006
Verlag
Kluwer Academic Publishers
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 2/2006
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-006-5624-2

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