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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2015

01.06.2015

In2S3 nanostructures: semi-batch synthesis and characterization and its photovoltaic applications

verfasst von: Hossein Zeynali, Sepideh Alvarzandi, S. Mostafa Hosseinpour-Mashkani

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 6/2015

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Abstract

Pure indium (III) sulfide nanostructures have been successfully synthesized through a semi-batch process in the presence of phenylmethoxymethylbenzene as a solvent. Besides, the effects of surfactant concentrations on the morphology and particle size of product were investigated by SEM image. Furthermore, elainic acid and oleylamine was used as the surfactant agent. Moreover, in order to examined solar cell application of as-synthesized In2S3 nanostructure a fluorine doped tin oxide (FTO)/In2S3/CdS/Pt-FTO was performed by directly deposited In2S3 film on top of the FTO glass prepared by Doctor’s blade method. Photoluminescence study of the In2S3 nanostructures displayed quantum confinement behavior with band gap of 3.5 eV.
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Metadaten
Titel
In2S3 nanostructures: semi-batch synthesis and characterization and its photovoltaic applications
verfasst von
Hossein Zeynali
Sepideh Alvarzandi
S. Mostafa Hosseinpour-Mashkani
Publikationsdatum
01.06.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 6/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-2977-4

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