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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2015

01.11.2015

Enhanced luminescence of Dy3+/Bi3+ co-doped Gd3Al5O12 phosphors by high-efficiency energy transfer

verfasst von: Lu Tian, Lixi Wang, Le Zhang, Qitu Zhang, Wenhao Ding, Mingxun Yu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2015

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Abstract

Series samples of Dy3+/Bi3+ co-doped Gd3Al5O12 phosphors were successfully prepared by sol–gel combustion method. The phase composition, morphology and luminescence properties were investigated by X-ray diffraction, scanning electron microscope, photoluminescence, UV–Vis diffuse reflectance spectra, and fluorescent decay curves. Dy3+–Bi3+ co-doping had no significant effect on the host lattice of Gd3Al5O12 (GAG). The quenching concentration of Dy3+ in Gd 3-x Al5O12:xDy3+ was determined to be 6.0 mol% (x = 0.06). At the optimal Dy3+ content of 6.0 mol%, the emission intensity of Dy3+ was greatly enhanced by Bi3+ co-doping. The incorporation of Bi3+ in GAG sample well improved the emission intensity of Dy3+ through the energy transfer from Bi3+ to Dy3+. The optimized composition was determined to be Gd2.895Al5O12:0.06Dy3+, 0.045Bi3+. The chromaticity coordinate shifted to green edge area after co-doping Bi3+ in GAG:Dy3+ phosphors. The enhanced intensity and tuned luminous color of Dy3+/Bi3+ co-doped GAG phosphors provided a promising application in white light emitting diodes (WLEDs), scintillation and some other optical fields.

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Metadaten
Titel
Enhanced luminescence of Dy3+/Bi3+ co-doped Gd3Al5O12 phosphors by high-efficiency energy transfer
verfasst von
Lu Tian
Lixi Wang
Le Zhang
Qitu Zhang
Wenhao Ding
Mingxun Yu
Publikationsdatum
01.11.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-3522-1

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